Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178724
Заглавие документа: Влияние условий синтеза и облучения высокоэнергетическими ионами ксенона на фотолюминесценцию системы «нанокластеры InAs В Si и SiO2»
Авторы: Комаров, Ф. Ф.
Мильчанин, О. В.
Пархоменко, И. Н.
Власукова, Л. А.
Нечаев, Н. С.
Wendler, E.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2017
Библиографическое описание источника: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 249-251.
Аннотация: Приведены результаты исследований структурных и люминесцентных свойств нанокластеров InAs, сформированных методом ионной имплантации в матрицах кремния и диоксида кремния. Обнаружено влияние термообработки и облучения ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3×1014 см-2 на фотолюминесценцию сформированных систем. Установлено, что облучение ионами Xe ослабляет фотолюминесценцию системы «InAs в Si» в ближнем ИК диапазоне. В случае системы «InAs в SiO2», облучение ионами Xe приводит к усилению интенсивности и уширению спектра люминесценции в области 550–750 нм
Доп. сведения: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178724
Располагается в коллекциях:2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
249-251.pdf734,34 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.