Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/178723
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.
dc.contributor.authorЗаяц, Г. М.
dc.contributor.authorЮвченко, В. Н.
dc.contributor.authorМискевич, С. А.
dc.date.accessioned2017-08-16T11:22:09Z-
dc.date.available2017-08-16T11:22:09Z-
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationПрикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 246-248.
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/178723-
dc.descriptionСекция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
dc.description.abstractС использованием модели пространственно-временной эволюции заряда, возникающего в подзатворном оксиде МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения, проведено численное моделирование радиационно-индуцированного изменения порогового напряжения МОП-транзисторов с различной толщиной подзатворного диэлектрика. Представлены результаты моделирования ВАХ n-МОП-транзисторов, облучаемых гамма-квантами
dc.language.isoru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование воздействия рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП-транзисторов
dc.typeconference paper
Appears in Collections:2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
246-248.pdf540,38 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.