Разработка и исследование высокоскоростных фотодетекторов на основе аморфных и поликристаллических кремний-германиевых гетероструктур: по заданию 1.2.09 Государственной программы научных исследований на 2014-2015 годы «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. Гайдук

Abstract

Объектом исследования НИР являлись процессы формирования оптоэлектронных приборов при воздействии на пластины Si и слои SiGe сплавов мощного импульсного лазерного излучения. Целью работы являлось исследование самоорганизации наноразмерных полупроводниковых структур при воздействии мощных лазерных импульсов и разработка экспериментальных и теоретических методов создания приборных структур оптоэлектроники. Основные методы исследований: атомно-силовая микроскопия, просвечивающая электронная микроскопия, Резерфордовское обратное рассеяние, фотолюминесценция, фотоэлектрические измерения, Фурье-спектрометрия. В процессе работы использовались приборы: электронные микроскопы ЭМ-125 и Philips CM-20, атомно-силовые микроскопы Rasterscope 3000, Integra Prima, Veeco Digital Instruments CP-II, ускоритель ионов AN2500 и Accelerator-5 MeV, лазерные комплексы, высокотемпературные печи, Фурье-спектрометр Vertex-70, монохроматор МДР-23, германиевые фотоприемники и др. В результате проведенной работы на модернизированной промышленной установке "Изотрон 4 150" разработан технологический маршрут химического осаждения из газовой фазы слоев SiGe на пластины кремния, исследован дефектно-примесный состав обработанных лазером слоев Si и SiGe сплавов; проведен анализ элементного состава, структуры и фазового состояния слоев Si и SiGe после облучения лазером; на основе выполненных структурных исследований оптимизированы режим лазерной обработки пластин Si и SiGe сплавов, изготовлены и проведены сравнительные измерения параметров экспериментальных оптоэлектронных структур. Результаты работы могут быть использованы при изготовлении приборов оптоэлектроники, одноэлектронных транзисторов, энергонезависимых схем памяти, интегрированных с традиционными кремниевыми СБИС.