Инженерия радиационно-индуцированных центров в кристаллах кремния и приборных структурах на их основе. Разработка оптимальных режимов радиационно-термического воздействия для формирования субмикронных n+-слоев водородосодержащих доноров в кристаллах Si и Ge: отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ю. М. Покотило

Abstract

Объектом исследования являются оптические и электрофизические свойства и условия формирования мелких водородных доноров в кристаллах германия, кремния, твердых растворах SiGe, механизмы модификации свойств кристаллов кремния и сплавов при ионно-радиационных воздействиях. Цель работы – получение новые сведений о структурных и электрофизических свойствах, радиационно-технологических режимах формирования Н-доноров. Основными методами исследований являются: измерения вольт-фарадных характеристик, нестационарная спектроскопия глубоких уровней (DLTS), спектроскопия комбинационного рассеяния света и ИК-поглощения. В процессе работы использовались приборы: Спектрометр DLTS C-V-профилометр ИК-спектрометр IR75 Nanofinder High End (Lotis TII) – микрорамановский спектрометр В результате проведенной работы показана возможность создания низкоомных n+-слоев в кристаллах германия с изовалентной примесью кремния за счет формирования в них водородосодержащих доноров. Установлены радиационно-технологические режимы (термообработка и энергия ионов водорода) для формирования различных типов доноров. Установлена зависимость предельной концентрации доноров от компонентного состава твердых растворов. Использование разработанных научно-технологических принципов формирования водородосодержащих доноров в кремнии, германии и их твердых растворах при помощи ионной имплантации и обработки в водородной плазме позволяет создать новые методики управления электрофизическими характеристиками полупроводниковых приборов.