Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/174013
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorLiidge, Kathv-
dc.contributor.authorLingnau, Benjamin-
dc.contributor.authorOtto, Christian-
dc.contributor.authorSeholl, Eckehard-
dc.date.accessioned2017-06-13T12:52:31Z-
dc.date.available2017-06-13T12:52:31Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationNonlinear Phenomena in Complex Systems. - 2012. - Vol. 15, N 4. - P. 350-359.ru
dc.identifier.issn1561 - 4085-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/174013-
dc.description.abstractThe optical modulation properties of a semiconductor quantum-dot laser, as observed under optical injection, depend crucially on the internal carrier-carrier scattering processes within the device. In this paper we show that in order to predict the modulation properties of the laser it is most important to know the dynamics observed during the laser turn-on. In contrast to quantum-well lasers the turn-on damping of quantum-dot devices depends strongly nonlinear on the carrier-scattering lifetimes. Thus, different QD laser devices with internally scattering processes taking place on completely different time scales, can yield equal injection dynamics due to a qualitatively similar turn-on dynamics.ru
dc.languageen
dc.language.isoenru
dc.publisherMinsk : Education and Upbringingru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessen
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleUnderstanding Electrical and Optical Modulation Properties of Semiconductor Quantum-Dot Lasers in Terms of Their Turn-On Dynamicsru
dc.typearticleen
Располагается в коллекциях:2012. Volume 15. Number 4

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
v15no4p350.pdf617,36 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.