Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/173710Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Юхневич, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Лосик, О. П. | - |
| dc.contributor.author | Кузнецов, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Паненко, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-06-09T08:08:08Z | - |
| dc.date.available | 2017-06-09T08:08:08Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2001. - № 8. - С. 95-99. | ru |
| dc.identifier.issn | 0207-3528 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/173710 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты СТМ-исследования эффекта локального электрополевого изменения туннельно-токового контраста поверхностей (111) и (001) Si, покрытых туннельно-прозрачным слоем термического оксида кремния. Выделены технологические режимы формирования поверхностей, на которых возможно реверсивное индуцирование контраста, определены условия наблюдения данного эффекта. Установлено, что электрополевое реверсирование контраста обусловлено смепдением ионов водорода (протонов) в слое оксида под влиянием электрического поля зонда СТМ в период действия индуцирующих импульсов напряжения. Предлагается рассматривать исследованные поверхности как перспективные варианты запоминающих поверхностей для зондовых запоминающих устройств | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Москва : Наука | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
| dc.title | Электрополевое индуцирование локального СТМ-контраста на поверхностях кремния с тонкими слоями оксида | ru |
| dc.type | journal article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ФХП | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.