Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/17023Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Миронов, А. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-10-10T10:32:52Z | - |
| dc.date.available | 2012-10-10T10:32:52Z | - |
| dc.date.issued | 2006-09 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 3. – С. 56-62. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/17023 | - |
| dc.description.abstract | A few important implementations of proton beam induced damage in crystals to produce unique structures for microelectronics and optoelectronics are presented. = Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А3В5. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Формирование водородо-индуцированиых дефектов и их применение в технологиях микро- и оптоэлектроники | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2006, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.