Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. НИУ "Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко"
  3. Статьи сотрудников НИИ ПФП
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/170234
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorAl’zhanova, A.-
dc.contributor.authorDauletbekova, A.-
dc.contributor.authorKomarov, F.-
dc.contributor.authorVlasukova, L.-
dc.contributor.authorYuvchenko, V.-
dc.contributor.authorAkilbekov, A.-
dc.contributor.authorZdorovets, M.-
dc.date.accessioned2017-04-05T09:09:09Z-
dc.date.available2017-04-05T09:09:09Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationNuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2016. - Vol. 374. - Pp. 121–124.ru
dc.identifier.issn0168-583X-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/170234-
dc.description.abstractThe process of latent track etching in SiO2/Si structures irradiated with40Ar (38 MeV),84Kr (59 MeV) and 132Xe (133 and 200 MeV) ions has been investigated. The experimental results of SiO2etching in a hydrofluoric acid solution have been compared with the results of computer simulation based on the thermal spike model. It has been confirmed that the formation of a molten region along the swift ion trajectory with minimum radius of 3 nm can serve as a theoretical criterion for the reproducible latent track etching tracks in SiO2ru
dc.language.isoenru
dc.publisherElsevier Science Publishing Company, Inc.ru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titlePeculiarities of latent track etching in SiO2/Si structures irradiated with Ar, Kr and Xe ionsru
dc.typejournal articleru
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
121-124.pdf1,87 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.