Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170225Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Скуратов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | - |
| dc.contributor.author | van Vuuren, A. Janse | - |
| dc.contributor.author | Neethling, J. N. | - |
| dc.contributor.author | Wendler, E. | - |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
| dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | - |
| dc.contributor.author | Ювченко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-05T08:32:30Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-05T08:32:30Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Том 80, № 2. - С. 165-169. | ru |
| dc.identifier.issn | 0367-6765 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170225 | - |
| dc.description.abstract | Проведены исследования имплантационного формирования нанокластеров InAs в кремнии и диоксиде кремния и их перестройки при облучении ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3 · 1014 см–2. Постимплантационный отжиг и облучение высокоэнергетичными ионами вызывают изменения размеров и формы нанокластеров, а также структурные превращения в них. Обнаружено упорядочение нанокластеров и их вытягивание вдоль траектории ионов Xe в матрице SiO2 | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Ионно-лучевое формирование и трековая модификация нанокластеров InAs в кремнии и диоксиде кремния | ru |
| dc.type | journal article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 165-169.pdf | 1,57 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.