Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/170223Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Ювченко, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Дидык, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Скуратов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Кислицын, С. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-05T08:22:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-05T08:22:35Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Том 76, № 5. - С. 653–658. | ru |
| dc.identifier.issn | 0367-6765 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/170223 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы процессы создания нанопористых слоев SiO2 на Si путем облучения термически оксидированных подложек кремния быстрыми ионами с последующей химической обработкой в растворах или парах фтористоводородной кислоты. Показано, что плотность, форму, диаметр и соотношение длина/диаметр вытравленных в диоксиде кремния каналов можно контролировать, изменяя режимы облучения быстрыми ионами или химической обработки структур SiO2/Si. Проведено сравнение параметров трекообразования, рассчитанных в рамках модели термического пика, с данными химического травления | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремния | ru |
| dc.type | journal article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 653–658.PDF | 2,63 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.