Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/165548| Заглавие документа: | Влияние режимов имплантации и термообработок на видимую фотолюминесценцию Zn(Se, S) нанокластеров в SiO2 |
| Авторы: | Моховиков, М. А. Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Мильчанин, О. В. Пархоменко, И. Н. Мудрый, А. В. Wendler, E. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 281–283. |
| Аннотация: | Целью данной работы является исследование ионного синтеза нанокристаллов A2B6 в слоях диоксида кремния для светодиодных структур, излучающих в видимом диапазоне длин волн. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/165548 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.281-283_Моховиков.pdf | 371,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.