Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/165375| Заглавие документа: | Моделирование электронных свойств при поверхностном переносе в короткоканальных МОП-транзисторах |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 240–242. |
| Аннотация: | С помощью кинетического метода Монте-Карло осуществлено моделирование электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубоко залегающими стоками. Рассчитаны зависимости средних значений энергии, подвижности и дрейфовой скорости электронов вдоль проводящего канала транзистора в зависимости от напряжений на стоке и затворе. Показано, что глубина залегания стока не оказывает сильного влияния на перенос электронов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/165375 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.240-242_Жевняк.pdf | 367,5 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.