Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2016. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/165175
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГайдук, П. И.-
dc.date.accessioned2017-01-13T17:21:39Z-
dc.date.available2017-01-13T17:21:39Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 228–231.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-403-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/165175-
dc.description.abstractРассмотрены процессы самоорганизации нанопустот в ионно-имплантированных слоях упруго-деформированных Si/SiGe(Sn) гетероструктур. Нанопустоты использованы для геттерирования и (или) сегрегации примесей с последующим формированием массивов захороненных нанооболочек и наноточек Ge, Sn или Au в Si слоях, расположенных вблизи р-n-перехода. Исследованы структурные превращения в слоях Si/SiGe(Sn) во время формирования нанопустот, а также оптические характеристики и спектральные зависимости фототока в р-n-переходах и гетеро-слоях Si/SiGe(Sn) со встроенными наноструктурами. Обсуждаются возможности плазмонных структур для повышения эффективности фотоприемных устройств.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Исследования проводились при финансовой поддержке фонда БРФФИ (проект Т16Р-167), а также фонда Марии Кюри 7-й РП ЕС - FP7-PEOPLE-2011-IIF (проект No 911932).ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleСамоорганизация нанопустот в упруго-деформированных структурах SiGe(Sn) при ионном облученииru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2016. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
С.228-231_Гайдук П.И..pdf591,52 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.