Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/165170Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Алексеев, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-13T16:33:02Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-13T16:33:02Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 216–219. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-403-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/165170 | - |
| dc.description.abstract | Моделирование из первых принципов фононных свойств двумерных кристаллов твердых растворов MoS2–xTex показало, что с увеличением концентрации теллура рамановские частоты мод, типичные для MoS2, уменьшаются, а на частоты мод, типичные для MoTe2, состав твердого раствора оказывает слабое влияние. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа была выполнена в рамках программы «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» (Подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов») (ГБЦ 13-3064). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Фононные свойства мономолекулярных слоев твердых растворов MoS2–xTex | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.216-219_Алексеев.pdf | 401,31 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.