Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукцией

Abstract

В данной работе приведены результаты разработки нового технологического маршрута изготовления биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ), который отличается от уже известных тем, что при формировании охранного кольца и металлических контактов используется один и тот же фотошаблон, что позволило сократить количество используемых фотошаблонов, но получить прибор с требуемыми электрическими характеристиками.