Химическое осаждение палладия из стабилизированных растворов на диэлектрические и полупроводниковые подложки

Abstract

Усовершенствован процесс химического осаждения пленок палладия из: аммиачно-гипофосфитного раствора на подложки, различающиеся химической природой и морфологией поверхности — оксид алюминия, силикатное стекло, монокристаллический кремний. Впервые показана возможность получения пленок палладия толщиной 2,5—5,0 мкм на трудно металлизируемых неметаллических подложках с гладкой поверхностью. Определена важнейшая причина ослабления адгезионного взаимодействия пленок с подложкой в процессе осаждения, связанная с постепенным увеличением размеров зерен палладия в резуль тате их срастания. Найдено, что обеспечить получение мелкозернистых пленок палладия с не изменяющейся в процессе роста микроструктурой и повысить их предельную толщину можно введением в раствор добавок моноэтаноламина и сульфосалициловой кислоты. Установлено, что добавка моноэтаноламина в раствор повышает его стабильность и скорость роста пленок.