Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/14170Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Юхневич, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-08-13T09:12:50Z | - |
| dc.date.available | 2012-08-13T09:12:50Z | - |
| dc.date.issued | 2007-01 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2007. - № 1. – С. 13-17. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/14170 | - |
| dc.description.abstract | The possibility of creation of silicon lasers based on the specific few-atomic structural imperfections of silicon crystal is discussed. These imperfections differ essentially from other defects of the crystal in their high photon emissivity, which is a consequence of no-phonon optical transitions between their localized electron states. A model of the basic electron processes in an active region of the laser crystal is proposed. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | О возможности создания кремниевого инжекционного лазера на основе излучающих структурных дефектов | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2007, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.