Формирование элементов рельефа поверхности монокристаллического кремния в щелочных растворах, содержащих КМnО4

Abstract

Influence of КМnО4 added to water solutions of potassium hydroxide, on an etch rate and relief features of monocrystalline silicon is investigated. It is established, that the mentioned addition results in forming of detect-free Si(100) surfaces. Optimal composition of solution in relation to etch rate morphology of the result surface are chosen. = Изучены особенности микро- и нанорельефа (100) поверхности монокристаллического кремния, формирующегося в результате травления в растворах гидроксида калия низких концентраций при различных температурах. Определен характер влияния добавки КМnO4 к водным растворам гидроксида калия на скорость травления и особенности рельефа Si(100). В частности, установлено, что указанная добавка в некотором оптимальном диапазоне концентраций приводит к формированию поверхности, свободной от основных дефектов. Выбраны оптимальные концентрации раствора по отношению к скорости травления и морфологии результирующей поверхности монокристаллического кремния.