Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге

Abstract

Исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами В+ пошаговым методом, при быстром термическом отжиге (БТО). В отличие от термического отжига в печи при БТО пошаговый метод, совмещенный с эффектом аннигиляции дефектов на примесях замещения (эффект Воткинса), не обеспечивает снижения концентрации остаточных нарушений. Это связывается с высокой мгновенной концентрацией точечных дефектов, образующихся из комплексов радиационных дефектов при БТО. При четырехшаговой имплантации и БТО (1000 ºС, 4⋅ 10 с) диффузионные профили бора совпадают с профилями диффузии при имплантации в один шаг (10 c). = Residual damages in silicon B+ implanted using the multistep method and rapid thermal annealing (RTA) were studied. Unlike thermal annealing, the multistep method at RTA combined with the effect of defect annihilation on substitutional impurities (Watkins effect) do not provide lowering of the residual damage concentration. This is explained by a high instantaneous concentration of the point defects formed from radiation defect complexes at RTA. For four-step implantation and RTA (1000 o C, 4 ⋅ 10 s) the boron diffusion profiles are coincident with diffusion profiles at one-step (10 s) implantation.