Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120264| Заглавие документа: | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ |
| Авторы: | Гайдар, Г. П. Баранский, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2015 |
| Аннотация: | Обнаружено, что при высокотемпературном отжиге при Т = 1200 оС в течение 2 ч и скорости охлаждения 15 оС/мин, а также в течение 72 ч и всех исследованных скоростях охлаждения (V охл = 1, 15, 1000 оС/мин) в объеме трансмутационно легированных кристаллов n-Si происходит генерация глубоких донорных центров. Установлено, что максимальное значение времени жизни носителей заряда среди всех исследуемых термообработок имеют кристаллы, отжигавшиеся при 1200 оС в течение 72 ч и охлажденные со скоростью 15оС/мин. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120264 |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Гайдар-2.pdf | 873,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.