ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Abstract

Обнаружено, что при высокотемпературном отжиге при Т = 1200 оС в течение 2 ч и скорости охлаждения 15 оС/мин, а также в течение 72 ч и всех исследованных скоростях охлаждения (V охл = 1, 15, 1000 оС/мин) в объеме трансмутационно легированных кристаллов n-Si происходит генерация глубоких донорных центров. Установлено, что максимальное значение времени жизни носителей заряда среди всех исследуемых термообработок имеют кристаллы, отжигавшиеся при 1200 оС в течение 72 ч и охлажденные со скоростью 15оС/мин.