Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120256Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Беляев, А. Е. | - |
| dc.contributor.author | Болтовец, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Саченко, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-10-08T10:24:49Z | - |
| dc.date.available | 2015-10-08T10:24:49Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120256 | - |
| dc.description.abstract | В диапазоне температур 120-380 К в вертикальной геометрии измерены температурные зависимости удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов Au–Ti–Pd2Si –n+–n-Si со ступенькой легирования, изготовленной диффузией или ионным легированием. Установлено, что в образцах обоих типов ρс во всем измеренном интервале температур растет по закону, близкому к квадратичному. Экспериментальные зависимости ρс(Т) описаны теоретически в предположении, что между сильнолегированным n+– слоем и подложкой существует тонкий высокоомный слой Si. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ УДЕЛЬНОГО КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К n+-n СТРУКТУРАМ КРЕМНИЯ | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Беляев-Конакова.pdf | 448,78 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.