МОДИФИКАЦИЯ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ГЕРМАНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПРЯМОЗОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ: СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ

Abstract

Проведен обзор современного состояния, а также работ авторов по созданию напряженных и сильно легированных слоев Ge на различных подложках для кремниевой оптоэлектроники. Показана возможность модификации зонной структуры германия путем введения растягивающей деформации и донорной примеси с высокой концентрацией с целью получения прямозонной люминесценции при комнатной температуре, а также лазерной генерации при оптической и электрической накачке. Приведены результаты исследования структурных, оптических и электрических свойств пленок Ge, осажденных ионно-лучевым распылением на подложки кремния, кварца и сапфира, и подвергнутых импульсному лазерному отжигу (ИЛО). Показано, что ИЛО аморфных пленок Ge в жидкофазном режиме приводит к их кристалли-зации, сопровождающейся введением сильной растягивающей деформации (до 1%), созданием сильно легированных слоев Ge:Sb (Ne=5х1020 см-3) c интенсивной фотолюминесценцией при 300 К.