Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120250
Заглавие документа: | RF PLASMA EFFECT ON AMORPHOUS THIN ION-IMPLANTED LAYERS OF N- AND P-TYPE GERMANIUM: RAMAN AND AFM RESEARCH |
Авторы: | Yukhymchyk, V. O. Lytvyn, P. M. Korchovyi, A. A. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2015 |
Аннотация: | Effect of RF plasma treatment (RFPT) and rapid thermal annealing (RTA) on high-dose implanted n-type and p-type amorphous Ge layers has been studied by Raman scattering spectroscopy and AFM techniques. To recrystallize the amorph-ous thin n-Ge layer implanted by BF2+ ions needed higher RTA temperatures and power density of RFPA than in the case of p-Ge implanted by P+ ions with a same dose. It was shown that the RFPT resulted in recrystallization of amorphous Ge layers at considerably lower temperatures than RTA, that it was associated with nonthermal effects. Low-energy ion and electron bom-bardment during RFPT resulted in formation of nanostructured Ge surface. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120250 |
Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Yuchimchuk.pdf | 2,14 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.