Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/120250
Заглавие документа: RF PLASMA EFFECT ON AMORPHOUS THIN ION-IMPLANTED LAYERS OF N- AND P-TYPE GERMANIUM: RAMAN AND AFM RESEARCH
Авторы: Yukhymchyk, V. O.
Lytvyn, P. M.
Korchovyi, A. A.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2015
Аннотация: Effect of RF plasma treatment (RFPT) and rapid thermal annealing (RTA) on high-dose implanted n-type and p-type amorphous Ge layers has been studied by Raman scattering spectroscopy and AFM techniques. To recrystallize the amorph-ous thin n-Ge layer implanted by BF2+ ions needed higher RTA temperatures and power density of RFPA than in the case of p-Ge implanted by P+ ions with a same dose. It was shown that the RFPT resulted in recrystallization of amorphous Ge layers at considerably lower temperatures than RTA, that it was associated with nonthermal effects. Low-energy ion and electron bom-bardment during RFPT resulted in formation of nanostructured Ge surface.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/120250
Располагается в коллекциях:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Yuchimchuk.pdf2,14 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.