Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/119960
Заглавие документа: | Polycrystalline bismuth films: correlation between grain structure and electron transport |
Авторы: | Fedotov, A. S. Poznyak, S. K. Tsybulskaya, L. S. Shepelevich, V. G. Svito, I. A. Saad, A. M. Mazanik, A. V. Fedotov, A. K. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | мая-2015 |
Издатель: | WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim |
Библиографическое описание источника: | Physica Status Solidi B. - 2015. - Vol. 252, Issue 9. - P. 2000 - 2005 |
Аннотация: | Grain structure and the temperature dependences of resistivity, magnetoresistance, Hall and Seebeck coefficients measured in the range from 4 to 300 K were investigated for polycrystalline bismuth films obtained by the melt spinning (MS) and electrochemical deposition (ECD) methods. Charge-carrier concentration and mobilities were calculated assuming the carrier scattering on acoustic deformation potential as the dominant scattering mechanism, parabolicity of holes dispersion law, implying the Lax model for L-band electrons and neglecting the influence of L-band holes on conductivity. The experimental results and calculations have demonstrated that the electrical properties of the Bi films studied are strongly affected by the grain-boundary density. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/119960 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Polycrystalline bismuth films correlation between grain structure and electron transport.pdf | 660,63 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.