Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/119960
Заглавие документа: Polycrystalline bismuth films: correlation between grain structure and electron transport
Авторы: Fedotov, A. S.
Poznyak, S. K.
Tsybulskaya, L. S.
Shepelevich, V. G.
Svito, I. A.
Saad, A.
Mazanik, A. V.
Fedotov, A. K.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: мая-2015
Издатель: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
Библиографическое описание источника: Polycrystalline bismuth films: correlation between grain structure and electron transport / A.S. Fedotov, S.K. Poznyak, L.S. Tsybulskaya, V.G. Shepelevich, I.A. Svito, A. Saad, A.V. Mazanik, A.K. Fedotov // Physica Status Solidi B. - 2015. - Vol. 252, Issue 9. - P. 2000 - 2005
Аннотация: Grain structure and the temperature dependences of resistivity, magnetoresistance, Hall and Seebeck coefficients measured in the range from 4 to 300 K were investigated for polycrystalline bismuth films obtained by the melt spinning (MS) and electrochemical deposition (ECD) methods. Charge-carrier concentration and mobilities were calculated assuming the carrier scattering on acoustic deformation potential as the dominant scattering mechanism, parabolicity of holes dispersion law, implying the Lax model for L-band electrons and neglecting the influence of L-band holes on conductivity. The experimental results and calculations have demonstrated that the electrical properties of the Bi films studied are strongly affected by the grain-boundary density.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/119960
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников физического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Polycrystalline bismuth films correlation between grain structure and electron transport.pdf660,63 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.