Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/118582
Title: Процесс вторичной электронной эмиссии в канале микроканальной пластины
Authors: Чудовская, Е. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2014. - № 3. - С. 34-38
Abstract: Представлено формализованное описание процесса формирования тока вторичной электронной эмиссии из полупроводникового покрытия канала микроканальной пластины. Результатом исследования является зависимость величины коэффициента вторичной электронной эмиссии этого материала как от параметров работы прибора (радиус канала, напряжение питания пластины), так и от свойств полупроводникового эмиттера (толщины слоя эмиссии, концентрации носителей заряда, ширины запрещенной зоны). Сравнение полученного коэффициента с переменной, разработанной ранее математически, дает хорошее соответствие. = This article is a formalized description of the emission current creation process in the semiconductor channel covering of a microchannel plate. As a result of this study, it has been found that in this material the secondary emission coefficient is dependent on both the device operating parameters (channel radius, supply voltage of the plate) and the properties of a semiconductor emitter (emission layer thickness, carrier concentration, forbidden band width). On comparison, the obtained coefficient revealed a good agreement with the variable earlier derived by mathematical methods.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/118582
ISSN: 1561-834X
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2014, №3 (сентябрь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Vestnik_1_3_2014-034-038.pdf396,59 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.