Процесс вторичной электронной эмиссии в канале микроканальной пластины

Abstract

Представлено формализованное описание процесса формирования тока вторичной электронной эмиссии из полупроводникового покрытия канала микроканальной пластины. Результатом исследования является зависимость величины коэффициента вторичной электронной эмиссии этого материала как от параметров работы прибора (радиус канала, напряжение питания пластины), так и от свойств полупроводникового эмиттера (толщины слоя эмиссии, концентрации носителей заряда, ширины запрещенной зоны). Сравнение полученного коэффициента с переменной, разработанной ранее математически, дает хорошее соответствие. = This article is a formalized description of the emission current creation process in the semiconductor channel covering of a microchannel plate. As a result of this study, it has been found that in this material the secondary emission coefficient is dependent on both the device operating parameters (channel radius, supply voltage of the plate) and the properties of a semiconductor emitter (emission layer thickness, carrier concentration, forbidden band width). On comparison, the obtained coefficient revealed a good agreement with the variable earlier derived by mathematical methods.