Регрессионные процессы в пленочных TiO2-фотогра­фических слоях. 3. Влия­ние модифицирования поверх­ности TiO2

Abstract

Изучены закономерности протекания регрессионных процессов в пленочных ТiO2-слоях, модифицированных примесями различной природы. Показано, что скорость разрушения и «растекания» скрытого изображения (СИ) замедляется на 3—4 порядка при легировании ТiO2 ионами Ag+ в количестве 3 10 -10 -5-10-9 моль/см . Показано, что адсорбция органических веществ алифатического ряда (спирты, альдегиды, кислоты, амины) на поверхности ТiO2 не приводит к созданию более глубоких уровней захвата фотоэлектронов по сравнению с немодифицированным ТiO2, в то время как в легированных ионами Ag+ ТiO2-слоях при облу- чении образуются Ag-чаcтицы, устойчивые к окислению и создающие в ТiO2 глубокие электроноакцепторные уровни, препятствующие «растеканию» СИ.