Регресси­онные процессы в пленочных TiO2-фотогра­фических слоях. 2. «Расте­кание» скрытого изображе­ния

Abstract

Изучены закономерности «растекания» скрытого изображения (СИ)в пленочных ТiO2-слоях, не модифицированных солями благородных металлов. Показано, что для наблюдения эффекта «растекания» СИ необходимо наличие концентрации центров СИ выше некоторой критической, а характер изменения линейных размеров и формы элементов проявлен- ного изображения при хранении экспонированных ТЮ2-слоев определяется соотношением скоростей «растекания» и разрушения СИ. Эффективная энергия активации процесса «растекания» СИ при влагосодержании 9,3-102 и 1,4- 10э Па имеет значения 67,4 и 52,9 кДж/моль соответственно. Рассмотрено влияние «растекания» СИ на разрешающую способность ТiO2-слоев и определены пути ее повышения.