Регрессия скрытого изобра­жения в фотографических слоях на основе пленок ди­оксида титана

Abstract

Анализируя полученные результаты и учитывая результаты работ [2, 5, 6], можно прийти к выводу, что основной причиной наблюдаемого в пленочных ТIO2~слоях расплывания СИ при хранении экспонированных слоев служит наличие разности потенциалов между экспонированными и неэкспонированными участками пленок ТIO2 и достаточно высокая подвижность отрицательно заряженных центров, образующихся в пленке ТIO2 при экспонировании. Адсорбция на поверхности пленок ТIO2 ионов Ag+ приводит к формированию при экспонировании частиц серебра и появлению глубоких акцепторных уровней (ловушек) для фотогенерированных электронов, что и обусловливает увеличение размерной стабильности элементов изображения, записанного при экспонировании в виде СИ, а также значительное повышение сохранности СИ.