Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/114151
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКомаров, Фадей Фадеевич-
dc.contributor.authorЧелядинский, Алексей Романович-
dc.contributor.authorKomarov, F. F.-
dc.contributor.authorChelyadinskii, A. R.-
dc.date.accessioned2015-05-21T08:45:07Z-
dc.date.available2015-05-21T08:45:07Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.isbn978-985-518-842-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/114151-
dc.descriptionПолный текст документа доступен пользователям сети БГУ.ru
dc.description.abstractThe text-book focuses on the main ways of solving problems of semiconductor materials. Radiation defects, their accumulation, structure transformation into residual damage, influence on electrical activation and diffusion of impurities, formation of inclusions of the impurity second phase and methods of suppression of damage in implanted silicon are analyzed. It is demonstrated that using specially implanted impurities or defects we can fight impurities and defects.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherMinsk : BSUru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleAdvanced Ion Beam and Photon Processings of Materials for Micro-, Opto- and Nanoelectronics / F.F. Komarov, A.R. Chelyadinskiiru
dc.title.alternativeСовременные ионно-лучевые и фотонные обработки материалов для микро-, опто- и наноэлектроники / Ф. Ф. Комаров, А. Р. Челядинскийru
dc.typetextbookru
dc.subject.recommendationГриф УМО БГУ-
Располагается в коллекциях:Кафедра физической электроники и нанотехнологий (пособия)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Komarov-Chelyadinskii.pdf13,05 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.