Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111572
Title: Анализ методов маскирования и исследование поведения бокового ухода под маску при локальном толстослойном анодировании Al
Authors: Шиманович, Д. Л.
Сокол, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В работе представлена модель поведения границы раздела «плотный Al2O3 - пористый Al2O3» в процессе роста пористого оксида в присутствии маски из плотного оксида. Исследованы профили бокового ухода под маску на границе раздела «Аl – Al2O3» при глубоком локальном анодировании Al до 150 мкм и проведен их сравнительный анализ в присутствии фоторезистивной маски и маски из плотного анодного оксида. Показано, что маскирование плотным Al2O3 является наиболее эффективным и надежным при длительном толстослойном пористом анодировании.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/111572
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.240-242.pdf991,59 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.