Анализ методов маскирования и исследование поведения бокового ухода под маску при локальном толстослойном анодировании Al

Abstract

В работе представлена модель поведения границы раздела «плотный Al2O3 - пористый Al2O3» в процессе роста пористого оксида в присутствии маски из плотного оксида. Исследованы профили бокового ухода под маску на границе раздела «Аl – Al2O3» при глубоком локальном анодировании Al до 150 мкм и проведен их сравнительный анализ в присутствии фоторезистивной маски и маски из плотного анодного оксида. Показано, что маскирование плотным Al2O3 является наиболее эффективным и надежным при длительном толстослойном пористом анодировании.