Анализ методов маскирования и исследование поведения бокового ухода под маску при локальном толстослойном анодировании Al

Шиманович, Д. Л.; Сокол, В. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111572

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Шиманович, Д. Л.	-
dc.contributor.author	Сокол, В. А.	-
dc.date.accessioned	2015-03-19T07:26:03Z	-
dc.date.available	2015-03-19T07:26:03Z	-
dc.date.issued	2014	-
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.	ru
dc.identifier.isbn	978-985-553-234-8	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/111572	-
dc.description.abstract	В работе представлена модель поведения границы раздела «плотный Al2O3 - пористый Al2O3» в процессе роста пористого оксида в присутствии маски из плотного оксида. Исследованы профили бокового ухода под маску на границе раздела «Аl – Al2O3» при глубоком локальном анодировании Al до 150 мкм и проведен их сравнительный анализ в присутствии фоторезистивной маски и маски из плотного анодного оксида. Показано, что маскирование плотным Al2O3 является наиболее эффективным и надежным при длительном толстослойном пористом анодировании.	ru
dc.description.sponsorship	Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	Издательский центр БГУ	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Анализ методов маскирования и исследование поведения бокового ухода под маску при локальном толстослойном анодировании Al	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
p.240-242.pdf		991,59 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar