Технологические особенности формирования встроенных токопроводящих элементов в объеме свободных алюмооксидных пластин в качестве микрополосковых СВЧ-линий

Abstract

Разработана методика изготовления Al2O3-пластин, которые выполняют роль несущих диэлектрических оснований и одновременно служат межэлементной диэлектрической средой для встроенной металлизации. Разработаны и оптимизированы технологические режимы формирования несущих алюмооксидных оснований со встроенной внутри диэлектрического тела системой токопроводящих алюминиевых элементов толщиной от 5 до 100 мкм. Формирования несущих алюмооксидных оснований осуществляется на основе двухстороннего сквозного анодирования и биполярного анодирования. Разработанные структуры являются перспективными для использования в качестве микрополосковых линий пассивной части систем СВЧ-диапазона.