Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/111508
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | - |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | - |
dc.contributor.author | Вендлер, Э. | - |
dc.contributor.author | Веш, В. | - |
dc.date.accessioned | 2015-03-18T09:35:59Z | - |
dc.date.available | 2015-03-18T09:35:59Z | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-553-234-8 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/111508 | - |
dc.description.abstract | Целью данной работы являлось изучение влияния режимов имплантации и постимплантационной термообработки на процессы структурных преобразований и оптические свойства системы «SiO2:Sn». Показано, что с увеличением дозы имплантации олова и температуры термообработок интенсивность фотолюминесценции в области 3,0—3,2 эВ существенно возрастает. Сравнение результатов с литературными данными позволяет сделать предположение, что интенсивная фотолюминесценция слоев SiO2 с большим содержанием олова может быть связана с излучающими центрами на дефектах дефицита кислорода (нейтральные кислородные дивакансии и моновакансии). | ru |
dc.description.sponsorship | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Структурно-фазовые превращения в легированных оловом слоях диоксида кремния | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
p.210-213.pdf | 800,23 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.