Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/111506| Заглавие документа: | Моделирование процессов переноса электронов в кремниевых МОП-структурах |
| Авторы: | Мищенко, В. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | Разработана программа моделирования процессов переноса электронов в полупроводниковом приборе на основе решения уравнений Шредингера и Пуассона в 3D области. В процессе моделирования формируется итерационная процедура совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для потенциальной ямы. Используя метод Монте-Карло, были исследованы процессы переноса электронов в структуре с потенциальной ямой, которая формируется при соединении элементов Si/SiO2. Выполнено моделирование описанной полупроводниковой структуры, получены зависимости средней скорости, энергии и подвижности электронов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/111506 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.208-210.pdf | 364,17 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.