Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111506
Title: Моделирование процессов переноса электронов в кремниевых МОП-структурах
Authors: Мищенко, В. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: Разработана программа моделирования процессов переноса электронов в полупроводниковом приборе на основе решения уравнений Шредингера и Пуассона в 3D области. В процессе моделирования формируется итерационная процедура совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для потенциальной ямы. Используя метод Монте-Карло, были исследованы процессы переноса электронов в структуре с потенциальной ямой, которая формируется при соединении элементов Si/SiO2. Выполнено моделирование описанной полупроводниковой структуры, получены зависимости средней скорости, энергии и подвижности электронов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/111506
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.208-210.pdf364,17 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.