Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/111506Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-03-18T09:17:59Z | - |
| dc.date.available | 2015-03-18T09:17:59Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-234-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/111506 | - |
| dc.description.abstract | Разработана программа моделирования процессов переноса электронов в полупроводниковом приборе на основе решения уравнений Шредингера и Пуассона в 3D области. В процессе моделирования формируется итерационная процедура совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для потенциальной ямы. Используя метод Монте-Карло, были исследованы процессы переноса электронов в структуре с потенциальной ямой, которая формируется при соединении элементов Si/SiO2. Выполнено моделирование описанной полупроводниковой структуры, получены зависимости средней скорости, энергии и подвижности электронов. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Моделирование процессов переноса электронов в кремниевых МОП-структурах | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.208-210.pdf | 364,17 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.