Моделирование радиационных эффектов в кремниевых структурах

Abstract

В работе проведено математическое моделирование работы устройств электронной техники в условиях космоса, что является важным инструментом для прогнозирования их радиационной стойкости. Для задачи моделирования пространственно-временной эволюции заряда в диэлектрике разработан итерационный алгоритм. Уменьшение результирующего изменения порогового напряжения в процессе облучения МДП-структуры с уменьшением толщины диэлектрика обуславливается уменьшением концентрации накопленного дырочного заряда в нем, а также распределением его на «мелких» и «глубоких» ловушечных уровнях данного диэлектрика.