Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108013| Заглавие документа: | Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах |
| Авторы: | Ластовский, С. Б. Коршунов, Ф. П. Якушевич, А. С. Латушко, Я. И. Макаренко, Л. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе исследовались кинетики инжекционного отжига комплекса BiOi в кремниевых n+–p структурах, облученных α–частицами. Электрически активные дефекты, индуцированные облучением α-частиц, исследовались методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Спектры записывались в интервале температур 79–270 К в режимах заполнения ловушек основными (эмиссии) и неосновными (инжекции) носителями заряда. Обнаружена корреляция в уменьшении высоты пика BiOi и увеличением суммы высот пиков Ci, и CiOi. Установлено, что скорость отжига увеличивается с ростом плотности прямого тока и температуры отжига, а также уменьшается с ростом дозы облучения образцов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108013 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.120-123.pdf | 480,15 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.