Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108007
Заглавие документа: Формирование пористого кремния в импульсном гальваностатическом режиме
Авторы: Чубенко, Е. Б.
Редько, С. В.
Шерстнёв, А. И.
Петрович, В. А.
Бондаренко, В. П.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2014
Издатель: Издательский центр БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Аннотация: В работе осуществлен поиск способов получения упорядоченных матриц пористого кремния с регулярной структурой пор, предназначенных для получения массивов низкоразмерных структур с высоким аспектным соотношением и нанокомпозитов. Проведенные исследования процессов анодирования монокристаллического кремния в импульсном гальваностатическом режиме позволили установить, что при плотностях анодного тока 100 – 120 мА/см2 происходит формирование слоев пористого кремния с выраженной вертикальной структурой пор с небольшой дисперсией значений величины среднего диаметра, имеющих гладкие стенки с менее развитой морфологией поверхности, чем у аналогичных структур, сформированных в обычных гальваностатических режимах. Полученные данные могут быть использованы для разработки технологии формирования нанокомпозитных материалов и массивов наноструктур на основе пористого кремния.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108007
ISBN: 978-985-553-234-8
Финансовая поддержка: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.102-105.pdf1,92 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.