Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108007
Title: Формирование пористого кремния в импульсном гальваностатическом режиме
Authors: Чубенко, Е. Б.
Редько, С. В.
Шерстнёв, А. И.
Петрович, В. А.
Бондаренко, В. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В работе осуществлен поиск способов получения упорядоченных матриц пористого кремния с регулярной структурой пор, предназначенных для получения массивов низкоразмерных структур с высоким аспектным соотношением и нанокомпозитов. Проведенные исследования процессов анодирования монокристаллического кремния в импульсном гальваностатическом режиме позволили установить, что при плотностях анодного тока 100 – 120 мА/см2 происходит формирование слоев пористого кремния с выраженной вертикальной структурой пор с небольшой дисперсией значений величины среднего диаметра, имеющих гладкие стенки с менее развитой морфологией поверхности, чем у аналогичных структур, сформированных в обычных гальваностатических режимах. Полученные данные могут быть использованы для разработки технологии формирования нанокомпозитных материалов и массивов наноструктур на основе пористого кремния.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108007
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.102-105.pdf1,92 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.