Элементный состав поглощающих слоев на основе соединений Cu(In,Ga)Se2, получаемых на стеклянных подложках

Abstract

В данной работе обсуждаются экспериментальные данные, полученные при изучении элементного состава пленок Cu(In,Ga)Se2, осажденных на стеклянную подложку. Нанесенные на подложки из стекла слои Cu-In-Ga помещались в специальную кварцевую трубу, где производился их отжиг в парах селена в два этапа. Первый – насыщение исходных пленок Cu-In-Ga селеном и реакция начала образования соединений (250 – 300 °С) с повышением температуры в конце этапа (400 – 520 °С); второй – формирование Cu(In,Ga)Se2 слоя и рекристаллизация с последующим остыванием образцов в выключенной печи. Установлено, что при осаждении пленок CIGS на стеклянную подложку происходит диффузия Si в формируемую пленку. Появление кислорода в пленке также объясняется диффузией этого элемента из подложки. В слое толщиной ~ 2,5 мкм от поверхности пленки наблюдается значительные изменения концентрации меди и кислорода, что может быть связано с химическими процессами в пленке во время селенизации при высоких температурах