Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107828
Title: Влияние кристаллической структуры на ширину запрещенной зоны Nb2O5
Authors: Мигас, Д. Б.
Филонов, А. Б.
Борисенко, В. Е.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В работе проводилась полная оптимизация кристаллической структуры с последующим расчетом зонных спектров различных фаз Nb2O5. Для этого был применен первопринципный метод псевдопотенциала с базисным набором плоских волн (пакета VASP). Минимизация полной энергии системы была получена путем вычисления сил Хеллмана-Фейнмана и тензора напряжений. В оптимизации параметров решетки и релаксации атомных позиций использовался сопряженный метод градиента. Анализ значений ширины запрещенной зоны различных фаз Nb2O5 показал, что наибольшее значение (2.73 эВ) имеет B-Nb2O5, а наименьшее (1,40 эВ) – R-Nb2O5. Таким образом, подтвердилось предположение, что различные фазы пентаоксида ниобия действительно могут характеризоваться различной шириной запрещенной зоны.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107828
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.71-73.pdf331,68 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.