Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107828
Title: | Влияние кристаллической структуры на ширину запрещенной зоны Nb2O5 |
Authors: | Мигас, Д. Б. Филонов, А. Б. Борисенко, В. Е. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | Издательский центр БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
Abstract: | В работе проводилась полная оптимизация кристаллической структуры с последующим расчетом зонных спектров различных фаз Nb2O5. Для этого был применен первопринципный метод псевдопотенциала с базисным набором плоских волн (пакета VASP). Минимизация полной энергии системы была получена путем вычисления сил Хеллмана-Фейнмана и тензора напряжений. В оптимизации параметров решетки и релаксации атомных позиций использовался сопряженный метод градиента. Анализ значений ширины запрещенной зоны различных фаз Nb2O5 показал, что наибольшее значение (2.73 эВ) имеет B-Nb2O5, а наименьшее (1,40 эВ) – R-Nb2O5. Таким образом, подтвердилось предположение, что различные фазы пентаоксида ниобия действительно могут характеризоваться различной шириной запрещенной зоны. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107828 |
ISBN: | 978-985-553-234-8 |
Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
p.71-73.pdf | 331,68 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.