Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107828
Заглавие документа: | Влияние кристаллической структуры на ширину запрещенной зоны Nb2O5 |
Авторы: | Мигас, Д. Б. Филонов, А. Б. Борисенко, В. Е. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2014 |
Издатель: | Издательский центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
Аннотация: | В работе проводилась полная оптимизация кристаллической структуры с последующим расчетом зонных спектров различных фаз Nb2O5. Для этого был применен первопринципный метод псевдопотенциала с базисным набором плоских волн (пакета VASP). Минимизация полной энергии системы была получена путем вычисления сил Хеллмана-Фейнмана и тензора напряжений. В оптимизации параметров решетки и релаксации атомных позиций использовался сопряженный метод градиента. Анализ значений ширины запрещенной зоны различных фаз Nb2O5 показал, что наибольшее значение (2.73 эВ) имеет B-Nb2O5, а наименьшее (1,40 эВ) – R-Nb2O5. Таким образом, подтвердилось предположение, что различные фазы пентаоксида ниобия действительно могут характеризоваться различной шириной запрещенной зоны. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107828 |
ISBN: | 978-985-553-234-8 |
Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
p.71-73.pdf | 331,68 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.