Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107204
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГерасимов, А. Б.-
dc.contributor.authorЧирадзе, Г. Д.-
dc.date.accessioned2015-01-13T09:27:02Z-
dc.date.available2015-01-13T09:27:02Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/107204-
dc.description.abstractВ настоящей работе приводятся результаты сравнительных исследований фотомеханического эффекта (ФМЭ) на образцах гетероструктур кремний на сапфире (КНС) с разной толщиной кремниевого слоя, как на исходных, так и подвергнутых импульсному фотонному отжигу (ИФО) со стороны сапфировой подложки.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleУменьшение механических напряжений в кремниевых слоях структур кремний на сапфире при облучении импульсами белого света со стороны сапфировой подложкиru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.43-46.pdf226,7 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.