Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107197
Title: ЭПР и фотопроводимость в кристаллах СТМ Алмазот
Authors: Азарко, И. И.
Григорьев, С. В.
Казючиц, Н. М.
Карпович, И. А.
Янковский, О. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В данной работе продолжено исследование кристаллов СТМ Алмазот, выращенных по стандартной технологии на РУП Адамас БГУ. Ранее было показано, что кристаллы алмаза характеризуются неоднородным распределением примесей азота и никеля, максимальное содержание которых наблюдается в центральной области кристалла в окрестности затравки. Концентрация основных технологических примесей (азота и никеля) в кристаллах СТМ Алмазот понижается по мере удаления от затравки. В этом же направлении улучшается структурное совершенство алмазной матрицы. Уменьшение концентрации примесей и совершенствование структуры отражаются в росте сигнала фотопроводимости и сужении линии Р1-центра. Обнаружено уширение линии парамагнитного никеля с уменьшением концентрации азота и никеля.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107197
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.26-29.pdf416,33 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.