Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107197| Title: | ЭПР и фотопроводимость в кристаллах СТМ Алмазот |
| Authors: | Азарко, И. И. Григорьев, С. В. Казючиц, Н. М. Карпович, И. А. Янковский, О. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | В данной работе продолжено исследование кристаллов СТМ Алмазот, выращенных по стандартной технологии на РУП Адамас БГУ. Ранее было показано, что кристаллы алмаза характеризуются неоднородным распределением примесей азота и никеля, максимальное содержание которых наблюдается в центральной области кристалла в окрестности затравки. Концентрация основных технологических примесей (азота и никеля) в кристаллах СТМ Алмазот понижается по мере удаления от затравки. В этом же направлении улучшается структурное совершенство алмазной матрицы. Уменьшение концентрации примесей и совершенствование структуры отражаются в росте сигнала фотопроводимости и сужении линии Р1-центра. Обнаружено уширение линии парамагнитного никеля с уменьшением концентрации азота и никеля. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107197 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.26-29.pdf | 416,33 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.