ЭПР и фотопроводимость в кристаллах СТМ Алмазот

Abstract

В данной работе продолжено исследование кристаллов СТМ Алмазот, выращенных по стандартной технологии на РУП Адамас БГУ. Ранее было показано, что кристаллы алмаза характеризуются неоднородным распределением примесей азота и никеля, максимальное содержание которых наблюдается в центральной области кристалла в окрестности затравки. Концентрация основных технологических примесей (азота и никеля) в кристаллах СТМ Алмазот понижается по мере удаления от затравки. В этом же направлении улучшается структурное совершенство алмазной матрицы. Уменьшение концентрации примесей и совершенствование структуры отражаются в росте сигнала фотопроводимости и сужении линии Р1-центра. Обнаружено уширение линии парамагнитного никеля с уменьшением концентрации азота и никеля.