Механизмы электропроводности в пленках нестехиометрического диоксида олова

Abstract

В представляемой работе тонкие пленки SnO2 получали методом магнетронного распыления на постоянном токе в плазме аргона. Напыление производилось на стеклянные подложки. В качестве мишени использовалось металлическое олово чистотой 99,99 %. Затем полученные пленки олова подвергали двухстадийному окислительному отжигу на воздухе. Ранее нами было установлено, что в результате магнетронного напыления с последующим окислительным отжигом формируется тонкая поликристаллическая пленка нестехиометрического SnO2 с присутствием фаз Sn2O3, Sn3O4 и SnO. Для выяснения особенностей электронного транспорта были проведены исследования температурных зависимостей проводимости тонких пленок диоксида олова.